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赵旺

发布者: [发表时间]:2018-03-28 [来源]: [浏览次数]:


姓名:赵旺

职称:讲师

邮箱:94221314@qq.com

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个人简介

赵旺,男,1982年生,理学博士,辽宁工程技术大学讲师。作为主要参与人参加了”973”项目(Ⅱ族氧化物半导体光电子器件的基础研究No.2011CB302000)、国家自然科学基金项目(ZnO基垂直腔面发射激光器制备及其关键科学问题研究,No.61076045;基于聚四氟乙烯的有机/聚合物太阳电池研究, No.51073065pZnNiO材料的MOCVD法制备、调制与掺杂问题研究,No.61006006ZnO衬底上低温MOCVD生长GaN单晶薄膜关键科学问题研究,No.60976010;基于纳米氧化物电极和钠快离子导体的高性能VOC传感器的特性研究,No.61240014)等项目的研究工作。

联合发表学术论文20余篇,其中SCI和EI期刊论文10余篇。

研究领域

氧化物半导体光电子材料、器件工艺、半导体气体传感器

学术成果

[1]Zhao Wang, Dong Xin, Zhao Long, et al. ZnO-Based Transparent  Thin-Film Transistors with MgO Gate Dielectric Grown by in-situ MOCVD, Chinese  Physics Letters, 27, (12): 128504, 2010.

[2] Wang Zhao, Long Zhao, Zhifeng Shi, et al. Electroluminescence of the  p-ZnO:As/n-ZnO LEDs grown on ITO glass coated with GaAs interlayer, Applied  Surface Science, 257 (10): 4685–4688, 2011.

[3]Guo-Tong Du, Wang Zhao, Guo-Guang Wu, et al. Electrically pumped lasing from  p-ZnO/n-GaN heterojunction diodes, Applied Physics Letters, 101: 053503, 2012.

[4]Wang Zhao, Zhifeng Shi, Long Zhao and  Guotong Du*, ZnO-based thin-film transistors fabricated by MOCVD,  The 6th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials, p157,Changchun, August 5-7, 2010.

[5]Wang Zhao, Xiaochuan Xia, Xin Dong,  Baolin Zhang, Guotong Du*, Characteristics of ZnO Thin-Film  Transistors with MgO Gate insulators”, 2010 International  Nano-Optoelectronics Workshop, p304,  Beijing and Changchun,  August 1-15, 2010.